多轉(zhuǎn)式電動執(zhí)行機構(gòu)MI系列智能型電動執(zhí)行機構(gòu)是我公司在引進英國ROTORK公司M系列產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,采用當(dāng)今的超大規(guī)模集成電路研制而成的新一代智能化、數(shù)字化、多功能的電動執(zhí)行機構(gòu)。
產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):Q/YXBM 470 -2006《MI智能型電動執(zhí)行機構(gòu)及隔爆智能型電動執(zhí)行機構(gòu)》。
MI智能型電動執(zhí)行機構(gòu)的工作原理:
多轉(zhuǎn)式電動執(zhí)行機構(gòu)MI系列智能型電動執(zhí)行機構(gòu)由三相異步電動機驅(qū)動,通過蝸輪蝸桿減速,帶動空心輸出軸輸出轉(zhuǎn)矩。減速器具有手/電動切換機構(gòu),當(dāng)切換手柄處于手動位置時,手輪通過離合器帶動空心輸出軸轉(zhuǎn)動;電動操作時,切換機構(gòu)將自動回落至電動位置,離合器和蝸輪嚙合,由三相電機驅(qū)動空心輸出軸轉(zhuǎn)動。
執(zhí)行機構(gòu)輸出軸的轉(zhuǎn)動通過增速機構(gòu)傳至霍耳效應(yīng)脈沖式傳感器,而電機蝸桿軸向力產(chǎn)生的軸向位移傳到機械式的力矩控制機構(gòu)(開關(guān)機構(gòu))上,以實現(xiàn)閥位和力矩的控制。
電動執(zhí)行機構(gòu)的智能控制器接受標(biāo)準(zhǔn)模擬電流控制信號或開關(guān)量控制信號或總線信號,將執(zhí)行機構(gòu)的輸出軸定位于和輸入信號相對應(yīng)的位置上;又可以根據(jù)聯(lián)鎖控制、兩線控制或緊急ESD事件信號定位于控制系統(tǒng)預(yù)先設(shè)置的位置。
MI智能型電動執(zhí)行機構(gòu)的主要特點:
經(jīng)典的機械式力矩保護裝置,工作穩(wěn)定可靠
霍耳效應(yīng)脈沖式傳感器精度高,適應(yīng)性強
采用超大規(guī)模集成芯片,使執(zhí)行機構(gòu)具備了強大的功能
提供中、英文菜單??赏ㄟ^遙控器進行設(shè)定調(diào)試,操作
簡單方便
非侵入式設(shè)計——采用雙密封結(jié)構(gòu)、殼體無貫通軸設(shè)計,
調(diào)試時無需打開控制箱罩蓋,防護等級達到IP68
工作制:1) MI(S4可逆、斷續(xù)運行,25%的接通持續(xù)率,630次/小時≤接通次數(shù)≤1200次/小時)
輸入信號:
1)模擬信號:4~20mA.DC 輸入阻抗250Ω
2)脈沖開關(guān)量信號≥150ms
3)Profibus-DP、HART(可選)
輸出信號:
1)4-20mA.DC 負(fù)載阻抗≤750Ω
2)Profibus-DP、HART(可選)
機械輸出:
1)MI多轉(zhuǎn)式 ≥6圈 17~544Nm
2)MI角行程 0~90° 116~6884Nm
3)MIL直行程 ≤100mm 7.94~41.4kN
基本誤差:
1)MI ≤±1%
2)MI角行程電動執(zhí)行機構(gòu) ≤±1%
3)MIL直行程電動執(zhí)行機構(gòu)(行程≥25mm)≤±1%
死區(qū):0.1~9.9%可調(diào)(默認(rèn)設(shè)置為0.5%)
技術(shù)參數(shù)
中途限位:
1)開限位設(shè)置范圍為 60%~100%
2)關(guān)限位設(shè)置范圍為 0%~40%
機械間隙: 1)MI ≤1°
2)MI角行程電動執(zhí)行機構(gòu) ≤1°
3)MIL直行程電動執(zhí)行機構(gòu)(行程≥25mm)≤1mm
禁止運行時間:0~99秒可調(diào)
供電電源:三相三線制,380V.AC±10%,50Hz±1%
防爆等級: 1)遙控器——本質(zhì)安全型 ExibⅡBT4(隔爆型) 2)執(zhí)行機構(gòu)———隔爆型 ExdⅡBT4
輸出觸點容量:250V.AC,5A; 30V.DC,5A(總線產(chǎn)品為220V.AC,0.5A;30V.DC,1A)
環(huán)境條件:
1)環(huán)境溫度:-25℃~+70℃(隔爆型為-20℃~+60℃)
2)相對濕度:5%~95%
3)大氣壓力:86~106kPa
4) 空氣介質(zhì):周圍空氣中無腐蝕性氣體
抗干擾指標(biāo):
1)外磁場 ≤400A/m,50Hz
2)共模干擾 250V,50Hz
3)串模干擾 有效值為1V的交流信號 頻率為50Hz,相位0~360°
4)靜電放電: 4kV
5)電快速瞬間脈沖群:電源端1000V;信號輸入端:500V
6)射頻干擾: 頻率80~1000MHz 試驗場強3V/m, 距離1m
7)浪涌干擾: 1kV